SK Hynix khởi công nhà máy sản xuất HBM tại Mỹ, nhắm tới GPU Nvidia Rubin-Ultra năm 2028

22 tháng 4, 2026·4 phút đọc

SK Hynix đã bắt đầu xây dựng nhà máy đóng gói bộ nhớ tiên tiến tại Indiana, Mỹ, với chi phí gần 4 tỷ USD. Cơ sở này nhằm tăng cường nguồn cung bộ nhớ HBM sản xuất tại Mỹ, đáp ứng nhu cầu cho các bộ tăng tốc AI thế hệ mới như Nvidia Rubin-Ultra vào năm 2028.

SK Hynix khởi công nhà máy sản xuất HBM tại Mỹ, nhắm tới GPU Nvidia Rubin-Ultra năm 2028

SK Hynix được cho là đã chính thức khởi công xây dựng một nhà máy đóng gói bộ nhớ tiên tiến tại West Lafayette, bang Indiana, Mỹ. Động thái này dự kiến sẽ thúc đẩy nguồn cung bộ nhớ băng thông cao (HBM) sản xuất tại Mỹ - một linh kiện then chốt trong các bộ tăng tốc AI cao cấp từ Nvidia và AMD.

Khác với bộ nhớ hệ thống dùng trong laptop, smartphone hay máy chủ thông thường, HBM đòi hỏi quy trình đóng gói và kiểm thử chuyên biệt để xếp chồng nhiều lớp DRAM (thường từ 8-12 lớp) lại với nhau thành một mô-đun duy nhất.

Hiện nay, phần lớn bộ nhớ HBM trên thế giới được sản xuất tại Hàn Quốc bởi Samsung và SK Hynix, trong khi Micron là nguồn cung nội địa chính của Mỹ. Tình hình này sẽ thay đổi một phần khi nhà máy tại Indiana của SK Hynix, với chi phí xây dựng gần 4 tỷ USD, hoàn thành vào cuối năm 2027.

Tiến độ xây dựng và kế hoạch hoạt động

Báo Herald Economy của Hàn Quốc cho biết SK Hynix đã thông báo cho các quan chức địa phương rằng việc xây dựng móng nhà máy đã bắt đầu, và việc xây dựng phần thân sẽ diễn ra vào cuối năm nay. Cùng với dây chuyền sản xuất, nhà máy này cũng sẽ chứa một cơ sở R&D để phát triển các thế hệ chip tương lai.

Theo các chuyên gia phân tích của TrendForce, nhà máy này khó có thể bắt đầu hoạt động quy mô lớn cho đến nửa cuối năm 2028. Thời điểm này trùng khớp với sự ra mắt của các dòng bộ nhớ HBM4E, bắt đầu với nền tảng Nvidia Rubin Ultra.

Cũng trong tuần này, SK Hynix đã khởi công một nhà máy đóng gói tiên tiến tương tự tại Công viên công nghệ Cheongju ở Hàn Quốc.

Tác động đến chuỗi cung ứng chất bán dẫn

Mặc dù nhà máy mới tại Indiana sẽ giúp củng cố nguồn cung HBM của Mỹ, nhưng nó đi vào hoạt động quá muộn để giải quyết tình trạng thiếu hụt bộ nhớ hiện tại, dự kiến sẽ đạt đỉnh vào cuối năm nay. Tuy nhiên, nhà máy này sẽ giải quyết nhu cầu ngày càng tăng về năng lực sản xuất chất bán dẫn tại Mỹ, đặc biệt khi TSMC đã bắt đầu sản xuất chip tại nhà máy Arizona.

Một nghịch lý là các khoảng trống trong hệ sinh thái chất bán dẫn của Mỹ đã khiến một số chip sản xuất tại TSMC Arizona (như GPU Blackwell của Nvidia) phải được gửi ngược lại Đài Loan để tích hợp cuối cùng. TSMC đang hợp tác với Amkor Technology để mang khả năng đóng gói tiên tiến CoWoS sang Mỹ, nhưng quá trình này sẽ không thể hoàn thành trong một sớm một chiều.

Vào tháng 10 năm ngoái, Amkor đã khởi công nhà máy trị giá 7 tỷ USD tại Arizona, dự kiến hoàn thành xây dựng vào giữa năm sau và bắt đầu sản xuất vào đầu năm 2028. Điều này trùng hợp với thời điểm nhà máy HBM của SK Hynix tăng cường sản xuất - họ sẽ cần các khả năng đóng gói tiên tiến để biến DRAM thành HBM, mặc dù chưa rõ Amkor có phải là đối tác cung cấp dịch vụ này hay không.

Trong khi đó, bộ phận Intel Foundry báo cáo sự quan tâm ngày càng tăng đối với các khả năng đóng gói tiên tiến của riêng mình. Mặc dù khác với CoWoS của TSMC, công nghệ của Intel có thể được tương thích với silicon được sản xuất bởi "gã khổng lồ" foundry Đài Loan.

Theo David Zinsner, Giám đốc tài chính của Intel, đóng gói tiên tiến có thể sẽ là một trong những động vật thúc đẩy doanh thu sớm cho mảng kinh doanh foundry của công ty. Phát biểu tại hội nghị Morgan Stanley Technology, Media và Telecom tháng trước, Zinsner gợi ý rằng Intel có thể công bố một hợp đồng đóng gói lớn trước cuối năm nay.

Bài viết được tổng hợp và biên soạn bằng AI từ các nguồn tin tức công nghệ. Nội dung mang tính tham khảo. Xem bài gốc ↗