Samsung dự kiến tăng gấp đôi sản lượng HBM4 và HBM4E trong năm tới

Samsung Electronics đang chuẩn bị cho một bước nhảy vọt về sản lượng chip nhớ băng thông cao (HBM) trong năm tới. Theo các nguồn tin trong ngành bán dẫn, hãng này dự kiến tăng hơn gấp đôi sản lượng dòng HBM4, bao gồm thế hệ thứ sáu HBM4 và thế hệ thứ bảy HBM4E.

Tấm đế thủy tinh: chỉ dấu cho sản lượng HBM

Điểm đáng chú ý nằm ở khối lượng tấm đế thủy tinh (glass carrier) — loại vật liệu thiết yếu trong sản xuất HBM. Samsung sẽ tăng khối lượng thuê ngoài làm sạch loại tấm này lên 50.000 tấm mỗi tháng trong năm tới, từ mức 20.000 tấm mỗi tháng của năm nay.

Mẫu chip HBM thế hệ mới được trưng bày tại sự kiện của Samsung

Để dễ hình dung mức tăng trưởng, nhu cầu tấm đế thủy tinh chỉ ở mức 10.000 tấm mỗi tháng vào năm ngoái, tăng gấp đôi trong năm nay và dự kiến tăng gấp 2,5 lần vào năm tới.

Vậy tấm đế thủy tinh có vai trò gì? Đây là tấm đế được gắn tạm thời vào mặt dưới của tấm wafer DRAM HBM, giúp ngăn cong vênh hoặc nứt gãy trong quá trình mài mỏng và khoan lỗ. Bởi vì HBM yêu cầu xếp chồng nhiều chip DRAM trong một độ dày hạn chế, công nghệ làm mỏng wafer và kiểm soát độ cong vênh càng trở nên quan trọng khi số lớp xếp chồng tăng lên.

HBM4 và HBM4E: Tâm điểm của dòng sản phẩm giá trị cao

Các sản phẩm HBM4 và HBM4E mà Samsung chuẩn bị mở rộng quy mô đều tập trung vào cấu trúc 12 lớp trở lên. Giới phân tích trong ngành nhận định rằng ngay cả khi tính đến việc tấm đế thủy tinh được tái sử dụng sau khi làm sạch, cũng như mức tiêu thụ thay đổi tùy theo phương thức tải quy trình và tỷ lệ đạt chuẩn, việc khối lượng liên quan tăng gấp 2,5 lần cho thấy khả năng cao sản lượng HBM4 và HBM4E sẽ tăng ít nhất gấp đôi so với năm nay.

Chip HBM4 được vận chuyển trong lô hàng sản xuất đại trà tại nhà máy Cheonan

Trước đó, vào tháng 2, Samsung đã bắt đầu xuất hàng sản xuất đại trà HBM4 sử dụng DRAM thế hệ thứ sáu (1c) cấp 10 nanomet và die nền chế tạo trên tiến trình 4 nanomet. Đến tháng 5, hãng cũng đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng, trong đó có Nvidia.

Quy mô sản xuất tăng gần 40%

Ngành công nghiệp dự báo quy mô sản xuất HBM của Samsung sẽ tăng gần 40%, lên khoảng 250.000 wafer trong năm tới, từ mức khoảng 180.000 wafer của năm nay, tính theo lượng wafer đưa vào trung bình mỗi tháng.

Xét theo cơ cấu sản phẩm xuất xưởng, dòng HBM4 dự kiến sẽ tăng từ khoảng 40% trong năm nay lên khoảng 80% vào năm tới, khi HBM4E bước vào giai đoạn sản xuất đại trà.

"Khi Samsung mở rộng sản xuất HBM, hãng dường như đang đặt HBM4 — một sản phẩm giá trị cao — vào vị trí trung tâm", một quan chức trong ngành nhận định.

Ý nghĩa với thị trường

Đối với người dùng Việt Nam và khu vực, diễn biến này có ý nghĩa gián tiếp nhưng đáng chú ý. HBM là linh kiện then chốt trong các GPU trí tuệ nhân tạo, vốn đang khan hiếm và đắt đỏ trên toàn cầu. Việc Samsung tăng mạnh sản lượng HBM4 và HBM4E có thể góp phần giảm bớt áp lực nguồn cung cho các trung tâm dữ liệu AI, cũng như cho các dịch vụ AI đám mây mà nhiều doanh nghiệp và nhà phát triển Việt Nam đang sử dụng.

Cuộc đua HBM giữa Samsung, SK Hynix và Micron vì thế không chỉ là câu chuyện của các tập đoàn bán dẫn, mà còn ảnh hưởng trực tiếp đến tốc độ và chi phí triển khai AI trên toàn cầu.